[发明专利]混合存储器件及其控制方法、制备方法有效
| 申请号： | 201110409493.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165172A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括：铁电存储单元；及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元；混合存储器件在两种存储模式间切换：在第一种存储模式中，阻变存储单元作为存储模块，铁电存储单元作为选通模块；在第二种存储模式中，阻变存储单元处于低阻态，铁电存储单元作为存储模块。本发明综合利用了FeRAM存储方式和RRAM存储方式的优点，在单块芯片上实现了两种不同的存储方式，从而可以满足不同方式的存储需要。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 存储 器件 及其 控制 方法 制备 | ||
【主权项】：
一种混合存储器件，其特征在于，包括：铁电存储单元；及形成于所述铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元；所述混合存储器件在两种存储模式间切换：在第一种存储模式中，所述阻变存储单元作为存储模块，所述铁电存储单元作为选通模块；在第二种存储模式中，所述阻变存储单元处于低阻态，所述铁电存储单元作为存储模块。
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