[发明专利]一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法

摘要

本发明公开了一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，首先按照常规极紫外光刻掩模的制作方法制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术在电子束抗蚀剂上制作出移相层结构，并大面积沉积吸收体材料铬，最后各向异性刻蚀吸收体材料铬，仅留下衰减型移相层材料铬侧墙，从而得到用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模。其中所述的铬侧墙衰减型移相掩模通过一次电子束曝光、两次磁控溅射沉积多层膜反射层和移相层、一次大面积原子层沉积材料铬、一次各向异性刻蚀材料铬获得的。本发明在移相层两侧添加了铬侧壁墙，通过该铬侧壁墙抑制极紫外光刻中的曝光阴影和衍射效应，起到比传统的衰减型移相掩模更为有效的分辨率增强功能。

主权项

一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，包括：在衬底表面上依次沉积多层膜反射层和保护层；在保护层表面旋涂的电子束抗蚀剂，并进行前烘、显影和定影，得到电子束抗蚀剂图形；在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积形成Mo/Si多层膜移相层；去除电子束抗蚀剂及其上表面和侧面沉积的Mo/Si多层膜移相层，保留电子束抗蚀剂图形之间的Mo/Si多层膜移相层，在保护层表面得到Mo/Si多层膜移相层；在具有Mo/Si多层膜移相层的保护层表面沉积吸收体材料铬，形成铬层；刻蚀Mo/Si多层膜移相层的上表面及移相层图形之间的铬层，保留Mo/Si多层膜移相层侧面的铬层，直至完全露出Mo/Si多层膜移相层和保护层；以及清洗并检测掩模板，完成用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的制作。