[发明专利]多层单晶三维堆栈式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110411488.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102610576A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维堆栈式存储器结构的制造方法，包括：结合一第一单晶半导体本体至一第一绝缘材料层的一表面，且于平行于该第一绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第一单晶半导体本体，留下一第一单晶半导体材料层结合于该第一绝缘材料层上；形成一第二绝缘材料层于该第一单晶半导体材料层上；结合一第二单晶半导体本体至该第二绝缘材料层的一表面，且于平行于该第二绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第二单晶半导体本体，留下一第二单晶半导体材料层结合于该第二绝缘材料层上；以及处理该第一与该第二单晶半导体材料层，用以形成一三维存储器阵列。此单晶半导体的多层结构适用于高性能存储器单元的多阶层实施。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 三维 堆栈 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的制造方法，该方法包括：结合一第一单晶半导体本体至一第一绝缘材料层的一表面，且于平行于该第一绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第一单晶半导体本体，留下一第一单晶半导体材料层结合于该第一绝缘材料层上；形成一第二绝缘材料层于该第一单晶半导体材料层上；结合一第二单晶半导体本体至该第二绝缘材料层的一表面，且于平行于该第二绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第二单晶半导体本体，留下一第二单晶半导体材料层结合于该第二绝缘材料层上；以及处理该第一与该第二单晶半导体材料层，用以形成一三维存储器阵列(3D memory array)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110411488.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗小儿疳积的药物组合物及其用法
- 下一篇：一种治疗桥本氏病的药物组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
