[发明专利]大功率厚膜片式电阻器的制造方法

摘要

本发明公开了一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种体积小、功率大、散热效果好的片式厚膜电阻器的制造方法。它包括表电极和背电极以及电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；具体方法是：清洗基片，印刷表电极和背电极，电极烧结，印刷电阻体，电阻体烧结，印刷一次玻璃体，一次玻璃体烧结，激光调阻，清洗电阻体，印刷二次玻璃体，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡。本发明制造的产品具有阻值精度高、功率大、散热性能好、可靠性高等优点，完全能满足现代电子产品的要求。

主权项

一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、玻璃包封、烧成、裂片、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下：1）用去离子水对氮化铝陶瓷基片进行清洗，干燥；2）在清洗后的氮化铝陶瓷基片表面印刷铂银合金浆料形成表电极，保证印刷厚度干燥后达到16～25μm；其中，铂银合金中金属铂的含量为1%，其余为金属银；3）在清洗后的氮化铝陶瓷基片背面印刷铂银合金浆料形成背电极，保证印刷厚度干燥后达到10～20μm；4）将印刷有表电极和背电极的氮化铝陶瓷基片烧结8～12min，烧结温度为850℃；5）在烧结后的氮化铝陶瓷基片表面印刷氧化钌浆料形成电阻体，保证印刷厚度干燥后达到20～32μm；6）将印刷有电阻体的氮化铝陶瓷基片烧结8～12min，烧结温度为850℃；7）在电阻体上印刷玻璃浆料形成一次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到15～25μm；8）将印刷有一次玻璃体的氮化铝陶瓷基片烧结5～9min，烧结温度为600℃；9）用功率为0.8～1W、Q开关频率为600～800P/mm、调阻速度为100～300mm/s的激光对电阻体进行S形切割，调节其阻值达目标阻值和精度；10）用去离子水冲洗电阻体表面，干燥；11）在一次玻璃体的表面印刷玻璃浆料形成二次玻璃体，保证印刷厚度干燥后达到25～40μm；12）将印刷有二次玻璃体的氮化铝陶瓷基片分裂成裂片条，在该裂片条的端面涂刷银浆形成端电极；13）将涂刷有银浆的裂片条烧结5～9min，烧结温度为600℃；14）将烧结后的裂片条分裂成块状，然后镀镍、镀锡，保证镍层厚度为5～15μm、锡层厚度为6～20μm。