[发明专利]用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法在审
| 申请号： | 201110412556.8 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165372A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 汪明刚;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法，属于半导体制备技术领域。所述方法通过多能量注入的方式进行离子注入掺杂，所述多能量是在一个能量区间的不同能量，该能量区间存在最低能量与最高能量，所述最低能量是实现掺杂元素注入而不沉积在硅基片表面的最小能量，所述最高能量是满足注入结深的最大注入能量。本发明使得掺杂离子浓度随深度的分布符合高斯分布，且注入元素浓度在PN处分布陡峭。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 浸没 注入 控制 元素 分布 陡度 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，通过多能量注入的方式进行离子注入掺杂。
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