[发明专利]准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法，在现有工艺的基础上，使用温度不高于650℃的化学气相沉积进行准SOI埋氧层制备，避免了现有技术使用热氧化制备准SOI埋氧层时，高温对栅氧化层的不良影响，提高了准绝缘体上硅场效应晶体管的性能，且工艺步骤简单有效，与现有场效应晶体管的工艺相兼容。

主权项

一种准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离；在半导体衬底上依次沉积栅氧化层、多晶硅层及硬掩膜层；图案化硬掩膜，以所述图案化的硬掩膜为阻挡依次刻蚀多晶硅层及栅氧化层形成栅极结构，并在所述栅极结构外侧形成第一侧墙；以所述栅极结构、浅沟槽隔离以及所述第一侧墙作为阻挡刻蚀所述半导体衬底至距所述半导体衬底表面第一深度H1，形成第一凹槽；在所述第一侧墙表面和第一凹槽侧壁及底面中进行化学气相沉积氧化物，其中，所述化学气相沉积的温度不高于650℃；在所述第一凹槽内沉积源漏区材料层，并以所述浅沟槽隔离、栅极结构以及第一侧墙表面氧化物作为阻挡，对源漏区材料层进行刻蚀至距所述半导体衬底表面第二深度H2，以形成第二凹槽，其中，所述H2小于H1，以暴露所述第一侧墙表面氧化物及部分第一凹槽侧壁上的氧化物；刻蚀去除所述暴露的氧化物，以暴露所述第一侧墙及对应所述部分第一凹槽侧壁上的氧化物的部分衬底，再次沉积源漏区材料层，并刻蚀形成未掺杂的源漏区；对所述未掺杂的源漏区进行离子注入，形成源漏区。