[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201110412974.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165664A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;三重野文健;禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和半导体器件制造方法。该半导体器件包括：硅衬底，在所述硅衬底中形成有凹槽；籽晶层，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；体层，形成在所述凹槽中在所述籽晶层上；以及帽层，包含硅并且形成在所述体层上。所述帽层中含有硼，或者含有磷和砷中的至少一种。根据本发明，能够提高半导体器件的单位时间生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底，在所述硅衬底中形成有凹槽；籽晶层，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；体层，包含硅锗并且形成在所述凹槽中在所述籽晶层上；以及帽层，包含硅并且形成在所述体层上，其中，所述帽层中含有硼。
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