[发明专利]OLED器件的半透明阴极及OLED器件无效
| 申请号： | 201110413449.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165823A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曹进;王立;荣佳玲;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 200072 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种OLED器件的半透明阴极，该半透明阴极由掺杂碳酸铯的高导电金属制成，高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。上述OLED器件的半透明阴极，高导电金属中掺杂碳酸铯既可以保证阴极的导电性又可以提高透光率，并且，在制备过程中，碳酸铯分解形成具有较低功函数的金属铯或氧化铯，从而降低了阴极的功函数，有助于电子注入能力的提高。此外，还提供了一种OLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 半透明 阴极 | ||
【主权项】：
一种OLED器件的半透明阴极，其特征在于，所述半透明阴极由掺杂碳酸铯的高导电金属制成，所述高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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