[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110413955.6 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165576A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；依次位于半导体衬底上的刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；位于半导体衬底上，且依次被超低K介质层和刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。所述制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层和超低K介质层；依次刻蚀超低K介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成沟槽；在沟槽中填充满金属层；对金属层进行平坦化处理，金属层的上表面与超低K介质层的上表面齐平。本发明可以提高半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；位于所述半导体衬底上，且依次被所述超低K介质层和所述刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。
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