[发明专利]一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法在审
| 申请号： | 201110413966.4 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165579A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张新伟;夏长奉;范成建;苏巍 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01B11/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽；且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀，形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构，然后对所得监控结构进行监视，从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度，成本较低，并可达到较高的监控精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 深度 监控 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于，包括：形成在单晶硅材料上的至少两个湿法腐蚀凹槽；所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形，其中至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。
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