[发明专利]固态硬盘自动修复的方法及其固态硬盘有效
| 申请号： | 201110415357.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102522121A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 黄韧敏 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种固态硬盘自动修复的方法及其固态硬盘，所述固态硬盘包括多个Flash存储芯片，所述方法包括：在所述固态硬盘中设置至少一个备用Flash存储芯片；在所述多个Flash存储芯片中的至少一个第一Flash存储芯片达到预设的自动修复标准时，将所述至少一个第一Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个备用Flash存储芯片上；将所述至少一个第一Flash存储芯片加热至高温温度；在所述高温温度下进行所述至少一个第一Flash存储芯片的修复。借此，本发明实现了固态硬盘的自动修复，提高固态硬盘的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 硬盘 自动 修复 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种固态硬盘自动修复的方法，所述固态硬盘包括多个Flash存储芯片，其特征在于，所述方法包括：在所述固态硬盘中设置至少一个备用Flash存储芯片；在所述多个Flash存储芯片中的至少一个第一Flash存储芯片达到预设的自动修复标准时，将所述至少一个第一Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个备用Flash存储芯片上；将所述至少一个第一Flash存储芯片加热至高温温度；在所述高温温度下进行所述至少一个第一Flash存储芯片的修复。
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