[发明专利]一种硒化铅半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明是一种硒化铅半导体薄膜的制备方法，该方法主要解决传统化学制备法薄膜组织不致密、与基体结合强度差等问题，以及解决传统化学制备薄膜不具有光电性能，需要后续敏化工艺步骤的问题。该方法采用非平衡射频磁控溅射系统和硒化铅复合靶材来制备涂层，制备过程中通入氧气，通过调整氧气流量和溅射功率实现对薄膜性能的控制。本发明制备的涂层致密，膜层与基体间结合性能好，同时具有良好的光电响应性能。该方法易行，所有原料简单易得，易于实现工业化生产。

主权项

一种硒化铅半导体薄膜的制备方法，其特征在于：该方法的步骤是：(1)制备前对衬底进行去油、去污清洗；(2)制备时先在氩气气氛中用50～100W功率离子源轰击衬底表面10～20min，除去表面的氧化物和其它杂质；(3)采用硒铅原子比为1∶1纯度为99.99/％的硒化铅复合靶材，采用非平衡中频反应磁控溅射系统，功率为50～150W，非平衡中频反应磁控溅射系统的本底真空度为10‑5Pa～10‑3Pa；溅射过程中工作气体为高纯氩气，流量为10～30cm3/min，反应气体为高纯氧气，氧气流量在0.5～2.5sccm范围内，溅射过程中的工作气压为10‑2Pa～10‑1Pa，靶材与衬底间的距离为45～80mm，衬底的加热温度为50～200℃，溅射30～180min后切断电源，保持真空冷却。