[发明专利]半导体装置及半导体包装

摘要

本申请提供一种在一个芯片内形成着晶体管及肖特基势垒二极管的构成中，能够确保晶体管的耐压并降低肖特基势垒二极管的顺向电压的半导体装置、以及用树脂包装覆盖半导体装置而成的半导体包装。半导体装置1包含半导体层22、形成在半导体层22上且构成晶体管11的晶体管区域D、及形成在半导体层22上且构成肖特基势垒二极管10的二极管区域C，且二极管区域C的半导体层22比晶体管区域D的半导体层22薄。

主权项

1.一种半导体装置，包含：半导体层；晶体管区域，形成在所述半导体层上，构成晶体管；二极管区域，形成在所述半导体层上，构成肖特基势垒二极管，所述晶体管是具有从所述晶体管区域的所述半导体层的表面掘入的第1沟槽的沟槽型晶体管，且包含栅极绝缘膜、栅极电极、形成于所述栅极电极上的绝缘层、主体区域、汲极区域及源极区域；在所述半导体层，形成着用于与所述源极区域实现接触的第2沟槽，该第2沟槽是贯通所述绝缘层且从所述晶体管区域的所述半导体层的表面掘入而形成；第1金属膜，对所述第2沟槽的内表面的整个区域相接的方式形成，且于所述第2沟槽的底面及侧面分别与所述半导体层欧姆接触，并且与所述二极管区域的所述半导体层的表面向背向侧凹入的比所述第2沟槽的底面更深位置的凹部肖特基接触；源极电极，埋入于所述第2沟槽中的所述第1金属膜的内侧；以及第2金属膜，层叠有配线层，覆盖所述第1金属膜之表面整个区域，以及所述源极电极从所述第2沟槽所露出的面。