[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201110415789.3 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102903741A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 曹学文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底、位于衬底上的栅极介电层、以及位于栅极介电层上的栅电极堆叠件。栅电极堆叠件包括金属填充线、润湿层、金属扩散阻挡层、以及功函数层。润湿层与金属填充线的侧壁和底部相接触。金属扩散阻挡层与润湿层相接触，并利用金属扩散阻挡层与金属填充线之间的润湿层覆盖金属填充线的侧壁和底面。功函数层利用功函数层和金属填充线之间的润湿层和金属扩散阻挡层覆盖金属填充线的侧壁和底面。本发明还提供了半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；栅极介电层，位于所述衬底上；以及栅电极堆叠件，位于所述栅极介电层上，所述栅电极堆叠件包括：金属填充线；润湿层，与所述金属填充线的侧壁和底面相接触；金属扩散阻挡层，与所述润湿层相接触，并利用所述金属扩散阻挡层和所述金属填充线之间的所述润湿层覆盖所述金属填充线的所述侧壁和所述底面；以及功函数层，利用所述功函数层和所述金属填充线之间的所述润湿层和所述金属扩散阻挡层覆盖所述金属填充线的所述侧壁和所述底面。
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