[发明专利]一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110415952.6 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102531575A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;龚树萍;傅邱云;郑志平;赵俊;胡云香;刘欢;程绪信 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sm sub 掺杂 batio 基片式 ptcr 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料，其特征在于，该材料的结构式为：(Bay‑xSmx)TiO3 + mSiO2 + nMn(NO3)2 + pBN 式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。
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