[发明专利]半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法

摘要

本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。

主权项

一种半导体材料的测量装置，用于测量界面缺陷分布，其特征在于，所述半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置，所述聚焦离子束显微镜系统和电子束诱导感生电流测量装置位于所述反应腔室内；所述聚焦离子束显微镜系统包括气体注入系统，用于沉积电极，所述聚焦离子显微镜系统还包括离子束产生装置；所述离子束产生装置产生的离子束用于剥离半导体材料。