[发明专利]一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法。首先，在清洗制绒后的p型晶体硅片背表面沉积含磷的二氧化硅薄膜，或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片背表面沉积含硼的二氧化硅薄膜；然后，制备前、背收集电极，将背部收集电极引出后，在电池的背表面制备二氧化硅薄膜，并在二氧化硅薄膜表面制备场效应电极；最后，在p型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载正偏压，或者，在n型晶体硅电池的场效应电极与前栅电极间加载负偏压，完成电池制作。与现有的晶体硅太阳能电池制作方法相比，本发明的方法简单易行，极大地简化了现有的制作工艺，降低了制作成本，具有广阔的应用前景。

主权项

一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：在清洗制绒后的p型晶体硅片的背表面沉积一层含磷的二氧化硅薄膜，在含磷的二氧化硅薄膜表面制备背收集电极，引出背收集电极后，在背收集电极表面继续沉积二氧化硅薄膜，并在该二氧化硅薄膜表面通过溅射或蒸镀方法制备一层场效应金属电极；最后，在场效应金属电极与前栅电极间加载正偏压，从而利用二氧化硅的场效应使p型晶体硅衬底背面形成反型层；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层含硼的二氧化硅薄膜，在含硼的二氧化硅薄膜表面制备背收集电极，引出背收集电极后，在背收集电极表面继续沉积二氧化硅薄膜，并在该二氧化硅薄膜表面通过溅射或蒸镀方法制备一层场效应金属电极；最后，在场效应金属电极与前栅电极间加载负偏压，从而利用二氧化硅的场效应使n型晶体硅衬底背面形成反型层。