[发明专利]一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池

摘要

本发明公开了一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池，可应用于聚光光伏发电系统，其特征在于，以Si、Ge、GaAs等半导体单晶片为衬底，采用金属有机化合物化学气相沉积技术（MOCVD）或分子束外延生长技术（MBE）生长含有InAs/GaAs量子点结构的多结太阳电池材料，以p-i-n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池为底电池、GaInAs电池为中间电池、GaInP电池为顶电池，从而优化多结电池的带宽搭配，提高太阳电池的转换效率。

主权项

一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池，其特征在于：包括电极、多结太阳电池材料和减反射膜，所述多结太阳电池材料的上表面设置有减反射膜，减反射膜上方设置有电极，同时多结太阳电池材料的下表面也设置有电极；所述多结太阳电池材料按照层状结构从下至上包括有衬底、底电池、中间电池、顶层电池，所述衬底为半导体单晶片，底电池是p‑i‑n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池，中间电池为GaInAs太阳电池，顶层电池为GaInP太阳电池，底电池与中间电池之间通过隧道结连接，中间电池与顶层电池之间通过隧道结连接。