[发明专利]一种用于相变存储器的直接数据读取电路无效
| 申请号： | 201110417915.9 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165181A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周忠玲;洪红维;黄崇礼 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100176 北京市经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提出了一种用于相变存储器的直接数据读取电路，其包括存储阵列、电流源和缓冲器。该直接数据读取电路还可以包括电阻检测电路，电阻检测电路用于检测标准相变材料电阻并得到控制电流I1的k比特数字位C |
||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 直接 数据 读取 电路 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的直接数据读取电路，其特征在于，包括：存储阵列，所述存储阵列具有m行n列相变存储单元，所述相变存储单元包括晶体管(14)和与所述晶体管串联的相变材料(12)，所述m、n为正整数；电流源(11)，所述电流源(11)的数量为p，所述每一个电流源(11)通过一个第一开关与h列相变存储单元相连；缓冲器(15)，所述缓冲器(15)的数量为p，所述每一个缓冲器(15)通过一个第二开关与h列相变存储单元相连，所述p、h为正整数且p×h＝n。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代全芯科技有限公司，未经北京时代全芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110417915.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
