[发明专利]一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法有效
| 申请号： | 201110417933.7 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102527676A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙良欣;徐国良;郭育林 | 申请（专利权）人： | 青岛吉阳新能源有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市即墨市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，包括以下步骤：(1)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分掩膜浆料；(2)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的掩膜浆料；(4)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗：利用酒精溶液超声，清洗掉硅片表面附着的有机物；(6)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。与现有普遍采用的用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底去除硅片表面的掩膜浆料及各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 腐蚀 浆料 清洗 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，其特征在于包括以下步骤：(1)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除大部分的掩膜浆料；(2)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(3)碱溶液鼓泡：利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解，去除残留的少量掩膜浆料；(4)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品；(5)超声波清洗：利用酒精溶液超声，清洗掉附着于硅片表面的有机物；(6)纯水喷淋：利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。
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