[发明专利]Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法无效
| 申请号： | 201110417939.4 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102517626A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李亮;崔田;周强;许大鹏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B13/28 | 分类号： | C30B13/28;C30B29/30 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法属于化合物晶体生长技术领域。现有Mg4Nb2O9单晶体尺寸小质量差。本发明将MgO和Nb2O5混合，在1250～1400℃温度下烧结20～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶粉体；将该多晶粉体制成棒状，之后在1400～1550℃温度下烧结10～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶棒；将该多晶棒作为喂料棒，在光学浮区炉中，喂料棒在上，晶种在下，二者对接，对接处为熔区；在3～4小时内升温至熔区出现液相，之后在30～60rpm范围内调整喂料棒、晶种的转速，在熔区内喂料棒形状稳定10～20分钟，之后开始生长Mg4Nb2O9单晶，生长速率为2～6mm/h，直到得到直径为0.6～1.0cm的Mg4Nb2O9单晶棒；在Mg4Nb2O9单晶相变点以上降温时的降温速度为30～40℃/h，在该相变点以下降温时的降温速度为100～400℃/h，直到常温。 | ||
| 搜索关键词： | mg sub nb 单晶体 光学 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法，其特征在于：一、将MgO和Nb2O5混合，在1250～1400℃温度下烧结20～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶粉体；二、将所述多晶粉体制成棒状，之后在1400～1550℃温度下烧结10～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶棒；三、将所述Mg4Nb2O9多晶棒作为喂料棒；在光学浮区炉中，喂料棒在上，晶种在下，二者对接，对接处为熔区；在3～4小时内升温至熔区出现液相，之后在30～60rpm范围内调整喂料棒、晶种的转速，在熔区内喂料棒形状稳定10～20分钟，之后开始生长Mg4Nb2O9单晶，生长速率为2～6mm/h，直到得到直径为0.6～1.0cm的Mg4Nb2O9单晶棒；四、在Mg4Nb2O9单晶相变点以上降温时的降温速度为30～40℃/h，在该相变点以下降温时的降温速度为100～400℃/h，直到得到常温Mg4Nb2O9单晶棒。
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