[发明专利]一种MOS管的自适应串联电路

摘要

依据本发明的一种MOS管的自适应串联电路，通过控制其中主控MOS管的开关动作相应地控制其他MOS管自适应地进行开关动作，并利用箝位电路保证其安全工作，其组成的等效MOS管的最大耐压为所有串联的MOS管的最大耐压之和。在实际制造过程中，在不超过漏端与衬底之间的最大电压的前提下对串联的MOS管的数量没有限制，因此得到的等效的MOS管的最大耐压范围也不受工艺限制，并适用于开关调节器等快速开关的场合和对开关速度要求不高的场合如LED驱动电路等，还可以应用在高压的升压调节器，降压调节器以及线性调节器等电路。

主权项

一种MOS管的自适应串联电路，其特征在于，包括一个主控MOS管和n个自适应MOS管，关断箝位电路和n个导通箝位电路，n≥1，其中；所述主控MOS管的源极为所述自适应串联电路的第一端；所述主控MOS管的漏极与所述n个自适应MOS管依次串联，所述第n个自适应MOS管的漏极为所述自适应串联电路的第二端；所述主控MOS管的栅极为所述自适应串联电路的控制端；所述关断箝位电路分别与所述n个自适应MOS管的栅极连接，并且具有与所述主控MOS管和所述n个自适应MOS管相对应的(n+1)个关断箝位电压值，所述关断箝位电压值不大于对应的自适应MOS管和所述主控MOS管的额定栅漏电压；所述n个导通箝位电路分别连接至对应的所述自适应MOS管的栅极，所述n个导通箝位电路具有n个导通箝位电压值，所述导通箝位电压值不小于对应的自适应MOS管的导通电压阈值；当所述主控MOS管和所述自适应MOS管处于关断状态，并且主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压大于其关断箝位电压值时，所述关断箝位电路将所述主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压箝位至对应的关断箝位电压值，从而保证所述主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压不高于其额定栅漏电压；当所述自适应MOS管和所述主控MOS管导通时，所述导通箝位电路将所述自适应MOS管的栅极电压箝位至对应的导通箝位电压值。