[发明专利]自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法

摘要

自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法，它涉及电子束蒸镀的装置及方法。本发明是要解决现有的电子束蒸镀方法的膜层与基体之间的结合力低，离子束辅助电子束蒸镀的方法成膜速度慢的技术问题。自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置和射频辉光放电系统和真空系统组成；其中射频辉光放电系统由射频放电电极和射频电源组成。镀膜方法：将基体放在样品架上，成膜物质放置于坩埚中，抽真空后，启动烘烤装置加热基体，启动电子束蒸发源产生电子束，加热坩埚内物质，形成蒸汽，启动射频电源2和射频放电电极，同时对样品架加电压，镀膜后，得到膜层。本法成膜速度快，膜层结合强度高，可用于光学膜层、热防护涂层及防蚀涂层制备领域。

主权项

自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置，其特征在于自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置(1)和射频辉光放电系统(2)和真空系统(3)组成；其中电子束蒸镀装置由真空室(1‑1)、电子束蒸发源(1‑2)、坩埚(1‑3)、样品架(1‑4)、偏压电源(1‑5)和烘烤装置(1‑6)组成；射频辉光放电系统(2)由射频放电电极(2‑1)和射频电源(2‑2)组成，射频放电电极(2‑1)安装在真空室(1‑1)内的坩埚(1‑3)上方50～200mm处，其中射频放电电极(2‑1)为1～6匝的直径为70～200mm的射频线圈；样品架(1‑4)与偏压电源(1‑5)相连，偏压形式为0～1000V直流或0～10000V脉冲。