[发明专利]固态图像传感器、制造该固态图像传感器的方法和照相机有效
申请号: | 201110418773.8 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102569316A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 河野章宏 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王莉莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像传感器、制造该固态图像传感器的方法和照相机。图像传感器包括第一导电类型的电荷蓄积区域、由第二导电类型的杂质半导体区域形成的隔离半导体区域、位于隔离半导体区域上由第二导电类型的杂质半导体区域形成的沟道阻挡区域、以及布置在沟道阻挡区域上的绝缘体。绝缘体包括:第一绝缘部分,经由沟道阻挡区域布置在隔离半导体区域的上方;第二绝缘部分,布置为与第一绝缘部分的外侧相邻,其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小;以及第三绝缘部分,形成在第一绝缘部分上,其中第三绝缘部分具有上表面和侧面,侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 制造 方法 照相机 | ||
【主权项】:
一种固态图像传感器,包括:在半导体区域中形成的第一导电类型的电荷蓄积区域;隔离半导体区域,形成在半导体区域中并且由第二导电类型的杂质半导体区域形成;沟道阻挡区域,由位于半导体区域中的第二导电类型的杂质半导体区域形成并且形成在隔离半导体区域上;以及绝缘体,布置在沟道阻挡区域上,其中,绝缘体包括第一绝缘部分,经由沟道阻挡区域布置在隔离半导体区域的上方;第二绝缘部分,布置为与第一绝缘部分的外侧相邻,其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小;以及第三绝缘部分,形成在第一绝缘部分上,其中,第三绝缘部分具有上表面和侧面,侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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