[发明专利]一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法

摘要

本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-xGex层上外延包括Si层和Si1-yGey层的双层薄膜；而后多次重复外延所述双层薄膜，在所述弛豫Si1-xGex层上制备出超晶格；接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述弛豫Si1-xGex层、超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底；最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。

主权项

一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一Si衬底，在所述Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1‑xGex层并使其弛豫以形成弛豫Si1‑xGex层，其中，0＜x＜1；2)在所述弛豫Si1‑xGex层上外延双层薄膜，所述双层薄膜包括Si层和Si1‑yGey层，其中0＜y＜1，然后多次重复外延所述双层薄膜，以在所述弛豫Si1‑xGex层上制备出超晶格；3)在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1‑zGez层，其中，0＜z＜1，并使所述Si1‑zGez层弛豫以形成弛豫Si1‑zGez层，由所述弛豫Si1‑xGex层、超晶格和弛豫Si1‑zGez层构成虚衬底；4)在所述弛豫Si1‑zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。