[发明专利]MOSFET制造方法有效
| 申请号： | 201110419341.9 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165458A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 付作振;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括步骤：步骤S1，在衬底上形成第一应力层；步骤S2，在第一应力层中形成假栅凹槽；步骤S3，在假栅凹槽中淀积形成假栅；步骤S4，去除第一应力层，留下假栅；以及步骤S5，执行后续工艺完成MOSFET制造。依照本发明的MOSFET制造方法，在应力绝缘薄膜中形成栅极形状的凹槽过程通过应力释放在器件沟道区引入应变，导致晶格形变并被记忆住，进而提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET制造方法，包括步骤：步骤S1，在衬底上形成第一应力层；步骤S2，在第一应力层中形成假栅凹槽；步骤S3，在假栅凹槽中淀积形成假栅；步骤S4，去除第一应力层，留下假栅；以及步骤S5，执行后续工艺完成MOSFET制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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