[发明专利]封装件互连结构有效
申请号: | 201110419485.4 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102693936A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | R·K·科特兰特;R·库马尔;P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱;P·R·耶勒汉卡 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522;B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 一种封装件互连结构。是提供支撑基板,其具有第一主要表面及第二主要表面。互连结构是形成穿过于该支撑基板中的该第一主要表面及该第二主要表面。互连结构具有第一部分及第二部分。该第一部分自该第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸,该第二部分自该第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸。互连结构包括部分的穿孔栓塞,穿孔栓塞具有于该互连结构的第一部分中的导电材料。穿孔栓塞具有底部,底部是位于该第一部分及该第二部分的接口的附近。以第一极性类型的掺杂物重掺杂该互连结构的第二部分。 | ||
搜索关键词: | 封装 互连 结构 | ||
【主权项】:
一种用以形成装置的方法,包括:提供具有第一及第二主要表面的支撑基板;以及形成穿过该支撑基板中的该第一及第二主要表面的互连结构,该互连结构具有第一及第二部分,该第一部分自该第一或第二主要表面中的一者延伸,且该第二部分自该第一及第二主要表面中的另一者延伸,其中,形成该互连结构包含:于该互连结构的第一部分中形成包括导电材料的部分穿孔栓塞,该穿孔栓塞具有大约位于该第一及第二部分的接口的底部;以及于该互连结构的第二部分设置具有第一极性类型的掺杂物的重掺杂第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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