[发明专利]一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法无效
| 申请号： | 201110420291.6 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102520591A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张彤;李若舟;张晓阳 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;G02B5/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，该方法包括如下步骤：首先，在衬底表面涂覆光刻胶，然后进行前烘，将旋涂有负性光刻胶的衬底进行前烘，去除负性光刻胶的溶剂；接着曝光，扩散片位于掩膜板之上，利用扩散片和掩膜板作为掩膜对负性光刻胶进行紫外曝光；最后进行后烘和显影，曝光区域中的负性光刻胶在后烘中交联，不溶于显影液，得到具有特定的截面结构；扩散片和掩膜板一起作为掩膜参与光刻胶的曝光。本发明具有适用范围广泛，工艺过程简单，工艺重复性好，不需要改造现有光刻设备，成本低廉，易实现批量生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光刻 扩散 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：首先，在衬底（1）表面涂覆负性光刻胶（2），然后进行前烘：将旋涂有负性光刻胶（2）的衬底进行前烘，去除负性光刻胶的溶剂；接着曝光：扩散片（4）位于掩膜板（3）之上，利用扩散片和掩膜板作为掩膜对负性光刻胶进行紫外曝光；最后进行后烘和显影：曝光区域中的负性光刻胶在后烘中交联，不溶于显影液，得到具有特定的截面结构，即顺序排列为衬底（1）、负性光刻胶（2）、掩膜板（3）、扩散片（4），入射波（5）从扩散片（4）上射入；扩散片和掩膜板一起作为掩膜参与光刻胶的曝光。
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