[发明专利]一种LDMOS的等效电路有效
| 申请号： | 201110421649.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102497185A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 姜艳;胡林辉 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS等效电路，包括：可变电容的第一端连接场效应管的栅极，可变电容的第二端连接场效应管的漏极；场效应管的栅极与可变电容第一端的连接点作为LDMOS等效电路的栅极，场效应管的漏极与可变电容第二端的连接点连接LDMOS等效电路的漏极，场效应管的源极作为LDMOS等效电路的源极。该LDMOS等效电路能够在仿真中作为LDMOS的等效电路，提高包含LDMOS的电路的仿真精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 等效电路 | ||
【主权项】：
一种LDMOS等效电路，其特征在于，包括：可变电容的第一端连接场效应管的栅极，可变电容的第二端连接场效应管的漏极；场效应管的栅极与可变电容第一端的连接点作为LDMOS等效电路的栅极，场效应管的漏极与可变电容第二端的连接点连接LDMOS等效电路的漏极，场效应管的源极作为LDMOS等效电路的源极。
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