[发明专利]提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法有效
| 申请号： | 201110421739.6 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103160807A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，使用原子层沉积设备，利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点，在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜，可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能，该方法操作简单，成本低，改性效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 聚四氟乙烯 薄膜 亲水性 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，所述四氯化碳与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生碳化学吸附，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述含羟基基团的物质与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生卤代反应，待反应完全后，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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