[发明专利]浅沟槽隔离和穿透基板通孔于集成电路设计之内的整合

摘要

本公开涉及浅沟槽隔离和穿透基板通孔于集成电路设计之内的整合。一种制造IC的方法，包括提供具有第一面和相反的第二面的基板，在基板的第一面内形成STI开口以及在基板的第一面内形成局部TSV开口并且延伸局部TSV开口。所延伸的局部TSV开口比STI开口更深入基板之内。该方法还包括以第一固体材料填充STI开口以及以第二固体材料填充所扩展的局部TSV开口。STI开口、局部TSV开口和延伸的局部TSV开口都没有穿透基板的第二面的外表面。执行以下处理中的至少任一个：STI开口和局部TSV开口同时形成；STI开口和延伸的局部TSV开口被同时填充。

主权项

一种制造集成电路的方法，包括：提供具有第一面和相反的第二面的基板；在所述基板的所述第一面内形成浅沟槽隔离开口；在所述基板的所述第一面内形成局部穿透基板通孔开口；使所述局部穿透基板通孔开口延伸，其中延伸的局部穿透基板通孔开口比所述浅沟槽隔离开口更深入所述基板之内；以第一固体材料填充所述浅沟槽隔离开口；以及以第二固体材料填充所述延伸的局部穿透基板通孔开口，其中：所述浅沟槽隔离开口、所述局部穿透基板通孔开口和所述延伸的局部穿透基板通孔开口都没有穿透所述基板的所述第二面的外表面，并且执行以下处理中的至少任一个：所述浅沟槽隔离开口和所述局部穿透基板通孔开口同时形成；所述浅沟槽隔离开口和所述延伸的局部穿透基板通孔开口被同时填充。