[发明专利]射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法无效
| 申请号： | 201110422080.6 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102522336A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法，该方法在多晶硅淀积后，按照以下步骤对多晶硅沟道表面进行平坦化处理：1)涂布底部有机抗反射层；2)底部有机抗反射层回刻；3)多晶硅主刻蚀，清除沟道区域以外的多晶硅；4)多晶硅过刻蚀，使沟道内的多晶硅表面平坦化。该方法通过在多晶硅回刻前，涂布底部有机抗反射层进行平坦化，再通过极低选择比的干法刻蚀工艺进行回刻，减小了沟道内多晶硅表面的高低落差，从而得以形成连续的金属硅化物，达到减小RF LDMOS的导通电阻，增大后续工艺窗口的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 多晶 沟道 平坦 工艺 方法 | ||
【主权项】：
射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法，其特征在于，在淀积多晶硅后，对多晶硅沟道表面进行平坦化处理的步骤包括：1)在多晶硅上涂布底部有机抗反射层；2)底部有机抗反射层回刻；3)多晶硅主刻蚀，清除沟道区域以外的多晶硅；4)多晶硅过刻蚀，使沟道内的多晶硅表面平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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