[发明专利]一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法

摘要

本发明属于半导体材料制备领域，特别涉及一种微晶硅薄膜太阳能电池材料的制备方法。本发明提供了一种新的微晶硅薄膜生长方法，在衬底上利用等离子体增强化学气相沉积的方法制备一层非晶硅薄膜，再利用氢等离子体处理非晶硅薄膜，使其晶化得到籽晶层，最后在籽晶层上按与第一步相同的条件继续沉积生长得到微晶硅薄膜。此方法简单有效，直接通过氢气放电诱导非晶层晶化得到籽晶层，有效消除微晶硅薄膜的孵化层，改善其纵向均匀性。同时该生长不含非晶孵化层微晶硅薄膜的方法无需在高温高压下生长，具有很好的成本优势。

主权项

一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：第一步，在衬底上利用等离子体增强化学气相沉积的方法制备一层非晶硅薄膜，即非晶孵化层，再利用氢等离子体处理非晶硅薄膜，使其晶化得到籽晶层；第二步，在籽晶层上按与第一步相同的条件继续沉积生长得到微晶硅薄膜。