[发明专利]只读存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110422511.9 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165611A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周玮;蔡建祥;王锴;李付军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元；两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管；第一MOS管的源极和漏极均设有轻掺杂漏区，第二MOS管的源极和漏极其中之一具有轻掺杂漏区或者均无轻掺杂漏区。因此，这两种不同结构的MOS管输出的驱动电流差别可用于区别只读存储器存储单元存储的“0”或“1”信号。且只读存储器的存储单元的制作与传统MOS管制作工艺，可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板，缩短只读存储器的制作周期与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元，其特征在于，所述只读存储器包含两种不同结构的存储单元；所述两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的源极和漏极均设有轻掺杂漏区，所述第二MOS管的源极和漏极其中之一具有轻掺杂漏区或者均无轻掺杂漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
