[发明专利]一种功率开关驱动器、IC芯片及直流-直流转换器有效
申请号: | 201110422515.7 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102545560A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 杨喆;王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M3/155 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种功率开关驱动器、IC芯片及直流-直流转换器,用以降低开关电源地弹,在保持功率开关较慢的开启速度的同时,降低关断功率开关时功率开关的栅极到电源或地的阻抗,使关断后的功率开关不能通过寄生电容的耦合而瞬间导通。本发明提供的一种功率开关驱动器:包括用于控制P型功率开关的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS,以及用于控制N型功率开关的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS,该功率开关驱动器还包括:与所述NMOS的源极相连的第一电阻;以及,与所述PMOS的源极相连的第二电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 开关 驱动器 ic 芯片 直流 转换器 | ||
【主权项】:
一种功率开关驱动器,包括用于控制P型功率开关的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS,以及用于控制N型功率开关的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS,所述NMOS的栅极和PMOS的栅极分别通过反相器连接到两相不交叠时钟,其特征在于,该功率开关驱动器还包括:第一电阻,连接在所述NMOS的源极与地之间;以及,第二电阻,连接在所述PMOS的源极与所述功率开关驱动器的正极之间。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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