[发明专利]氧化钨阻变存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201110423213.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103165812A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;郁新举;黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制造方法，包括步骤：1)制作钨通孔；2)干法刻蚀掉钨通孔顶部侧壁的钛层和钛氮化合物阻挡层；3)用有机酸洗掉残留聚合物；4)高温热氧化处理，在钨通孔顶部形成氧化钨；5)光刻和干法刻蚀，形成氧化钨阻变存储单元；6)淀积金属，通过光刻和干法刻蚀形成顶层金属布线。该方法通过在钨通孔氧化前，去除钨通孔侧壁的部分钛层和钛氮化合物阻挡层，使钨通孔氧化后，在钨通孔侧壁能形成部分氧化钨，隔离开顶层金属与钨通孔的钛层和钛氮化合物阻挡层，从而避免了漏电通路的产生，提高了氧化钨阻变存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
氧化钨阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制作钨通孔；2)干法刻蚀掉钨通孔顶部侧壁的钛层和钛氮化合物阻挡层；3)用有机酸清洗掉干法刻蚀后残留的聚合物；4)高温热氧化处理，在钨通孔顶部形成氧化钨；5)通过光刻和干法刻蚀，形成氧化钨阻变存储单元；6)淀积金属，通过光刻和干法刻蚀，形成顶层金属布线。
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