[发明专利]一种局部单原子层厚度石墨烯的制备方法无效
| 申请号： | 201110423219.9 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102492926A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;尹奎波;孙立涛;徐峰;贺龙兵;谢骁 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种局部单原子层石墨烯薄膜的制备方法，具体步骤为：第一步，将多层石墨烯薄膜置于载体台上使待加工部分悬空，然后将载体台放置于透射电子显微镜中；第二步，将多层石墨烯薄膜温度升高到300-1300℃，利用电流密度大于1×102A/cm2的会聚高能电子束辐照待加工部分的多层石墨烯薄膜表面，并持续1-60分钟，使得待加工部分的多层石墨烯薄膜的表层碳原子不断被轰击溅射，逐层剥离最终形成少数层甚至单层且高结晶性的石墨烯。石墨烯的厚度及单层石墨烯的面积通过调节电子束的束径、电流密度及电子束辐照的时间来控制。本发明可方便减薄多层石墨烯进而制备出高质量的单层石墨烯薄膜，能大幅度提高制备的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 原子 厚度 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种局部单原子层石墨烯薄膜的加工方法，其特征在于，具体步骤为：第一步，将多层石墨烯薄膜置于载体台上使待加工部分悬空，然后将载体台放置于透射电子显微镜中；第二步，将多层石墨烯薄膜温度升高到300‑1300℃，利用电流密度大于1×102A/cm2的会聚高能电子束辐照待加工部分的多层石墨烯薄膜表面，并持续1‑60分钟，使得待加工部分的多层石墨烯薄膜的表层碳原子不断被轰击溅射，逐层剥离最终形成少数层甚至单层且高结晶性的石墨烯。
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