[发明专利]一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备有效
| 申请号： | 201110424577.1 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103160813A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王一帆 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备，包括外腔室、内腔室以及气体输送管，所述内腔室设置在所述外腔室内，在所述内腔室和所述外腔室之间形成有气体通道，所述气体通道与外腔室的排气通道连通，所述气体输送管设置在所述内腔室内，在所述气体输送管上设有向所述内腔室输送工艺气体的进气口，在所述内腔室的室壁上设有排气口，其中，在所述排气口位置设有用于调节所述排气口大小的排气口调节单元，从而可以调节内腔室的温度分布，进而可以提高等离子体加工设备的可调性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 以及 应用 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括外腔室、内腔室以及气体输送管，所述内腔室设置在所述外腔室内，且在所述内腔室和所述外腔室之间形成有气体通道，所述气体通道与外腔室的排气通道连通，所述气体输送管设置在所述内腔室内，在所述气体输送管上设有向所述内腔室输送工艺气体的进气口，在所述内腔室的室壁上设有排气口，其特征在于，在所述排气口位置设有用于调节所述排气口大小的排气口调节单元。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
