[发明专利]一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管无效
| 申请号： | 201110425171.5 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102447027A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 朱彦旭;刘建朋;李翠轻;曹伟伟;丁艳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本发明包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层，电极自上而下依次垂直连接；多量子阱有源区两侧的电极极性不同；多量子阱有源区一侧的电极，高光提取的窗口层结构以及限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的限制层，接触层以及电极的极性相同。本发明通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提取 窗口 垂直 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层，电极自上而下依次垂直连接；多量子阱有源区两侧的电极极性不同；多量子阱有源区一侧的电极，高光提取的窗口层结构以及限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的限制层，接触层以及电极的极性相同。
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