[发明专利]双面晶体管动态随机存取存储器的方法与双面晶体管结构有效
| 申请号： | 201110425198.4 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683211A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·郑林 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/73 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成具有一双面晶体管的一动态随机存取存储器的方法和一种场效晶体管结构，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；在每一对高电阻门极之间形成一孔洞以使所述高电阻门极对相互连接；在所述沟槽的一侧和所述高电阻门极对之中一高电阻门极的下方形成一门极；形成一氧化层以覆盖所述门极；和沉积一厚金属层于所述沟槽中以形成一字线，本发明可避免非常强的字线一字线耦合效应。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 晶体管 动态 随机存取存储器 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种双面晶体管动态随机存取存储器的方法，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少有两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；在每一对高电阻门极之间形成一孔洞，使所述每对高电阻门极互相连接；在所述沟槽的一侧和所述每对高电阻门极中的一个高电阻门极的下方形成一门极；形成一氧化层覆盖所述门极；和沉积一厚金属层在所述沟槽中形成一字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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