[发明专利]离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺有效
| 申请号： | 201110425979.3 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102534802A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 向卫东;邵明国;梁晓娟;黄海宇;陈兆平 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C30B31/02 | 分类号： | C30B31/02 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 325035 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：1)以PbO粉末和WO3粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO3)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。本发明具有低能耗、高效率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 扩散 改性 钨酸铅 晶体 工艺 | ||
【主权项】：
离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：1)以PbO粉末和WO3粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO3)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。
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