[发明专利]一种在转接板上实现电绝缘的方法

摘要

本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。

主权项

一种在含有TVS结构的半导体基板实现电绝缘的方法，其特征在于，包括如下步骤：A在一半导体基底上至少有一个TSV结构，所述TSV结构从所述半导体基底的上表面延伸到下表面，所述TSV结构的侧壁包括一绝缘层，所述TSV结构内包括导电材料；B  湿法刻蚀所述半导体基底的上表面，使所述TSV结构一端曝露出所述半导体基底上表面；C在所述半导体基底的上表面制作绝缘材料，整平所述半导体基底的上表面，并使所述TSV结构一端曝露出所述半导体基底上表面；D在所述半导体基底的上表面的绝缘材料上制作金属再布线层。