[发明专利]使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法无效
| 申请号： | 201110427211.X | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102520482A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王海东 | 申请（专利权）人： | 深圳市易飞扬通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/138 | 分类号： | G02B6/138;G03F7/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法，包括以下步骤：在基板上镀保护层；在保护层上涂布光刻胶；对光刻胶进行曝光；显影除去光刻胶中透光部分；除去保护层中不被光刻胶覆盖的部分；采用干法刻蚀工艺在基板上刻蚀U形槽；除去基板上残留的保护层，得到光纤阵列定位基板；在光纤阵列定位基板上排布光纤组成光纤带，封装得到光纤阵列。采用干法刻蚀工艺能够刻蚀出高精度的U形槽，利用U形槽定位光纤，提高了光纤的定位精度，大大减少了位移平均误差，制作的光纤阵列的精度达0.1微米，从而减小了光信号的损耗，提高了光信号的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 半导体 工艺 制作 光纤 阵列 关键 方法 | ||
【主权项】：
一种使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上镀上保护层；在所述保护层上涂布光刻胶；对所述光刻胶进行曝光处理；显影除去所述光刻胶中透光部分，将光纤阵列图像转移至所述光刻胶上；除去所述保护层中不被所述光刻胶覆盖的部分；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述基板，在所述基板上刻蚀多个U形槽；除去所述基板上残留的保护层，得到光纤阵列定位基板；在所述光纤阵列定位基板上排布光纤组成光纤带，封装得到所述光纤阵列。
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