[发明专利]一种哑金属填充方法有效
| 申请号： | 201110427611.0 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102521460A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 吴玉平;陈岚;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明通过光刻仿真、电路网表提取、电路仿真、电路节点延时极限、光刻畸变情形下等效电学参数计算、极限寄生电容计算、约束条件下的哑金属填充实现了考虑光刻畸变的哑金属填充，在寄生估算和冗余哑金属填充过程中考虑光刻畸变对寄生电阻和寄生电容的影响，确保冗余哑金属填充引起的寄生电阻和寄生电容变化对电路设计性能的影响在预定范围之内，最大化地提高电路各部分金属互连线的平整度，从而提高集成电路设计的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种哑金属填充方法，其特征在于，包括如下步骤：A光刻仿真一半导体物理版图，得到畸变的半导体物理版图数据；B对所述畸变的半导体物理版图数据进行寄生参数提取，得到包含寄生元器件的电路网表；C通过电路仿真对所述畸变的半导体物理版图的电路进行瞬态分析，得到瞬态分析结果；D计算所述瞬态分析结果，确定所述畸变的半导体物理版图的电路中电路节点的延时极限和等效电学信息；E根据所述电路节点的延时极限和等效电学信息，在引入冗余哑金属填充给所述畸变的物理版图的线网后，计算所述电路节点承载的极限寄生电容；F以所述电路节点极限寄生电容为上限、多次调整哑金属填充方法，优化半导体物理版图的芯片的机械平整度。
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