[发明专利]具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110428953.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102569028A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 | 申请（专利权）人： | 李德财 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法，所述方法包含以下步骤：首先，制备一层第一基板，接着，于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5，而后，于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层，利用移除该氧化镓牺牲层来保持该磊晶结构层的品质与性能，而由于该氧化镓牺牲层结晶特性弱，因此该氧化镓牺牲层容易被移除，提高整体制程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具易移 牺牲 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于该制造方法包含以下步骤：一、制备一层第一基板；二、于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5；及三、于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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