[发明专利]一种金属纳米晶存储器无效
| 申请号： | 201110429608.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178062A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青;张满红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/51;H01L21/8247;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米晶存储器。该金属纳米晶存储器包括：衬底；形成于衬底沟道区两侧的源端和漏端；及依次形成于衬底沟道区上方的隧穿介质层、金属纳米晶存储层、电荷阻挡层和栅电极；其中，该金属纳米晶存储层是由金属纳米晶胶体经喷涂方法沉积于隧穿介质层并蒸发金属纳米晶胶体内的溶剂而形成的。本发明金属纳米晶存储器，是基于激光烧蚀、喷枪喷涂的方法来实现，与常规的制备纳米晶浮栅非挥发性存储器比较，具有成本低廉、纳米颗粒直径可控，均匀性好，无污染、器件性能优良等诸多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 存储器 | ||
【主权项】：
一种金属纳米晶存储器，其特征在于，包括：衬底；形成于衬底沟道区两侧的源端和漏端；及依次形成于衬底沟道区上方的隧穿介质层、金属纳米晶存储层、电荷阻挡层和栅电极；其中，所述金属纳米晶存储层是由金属纳米晶胶体经喷涂方法沉积于所述隧穿介质层上并蒸发金属纳米晶胶体内的溶剂而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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