[发明专利]半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器有效
| 申请号： | 201110430236.5 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102437511A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张彤;张晓阳;王洋洋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/18;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，主要由实心半导体纳米线，空心半导体纳米线，量子点，金属薄膜构成，采用密布着量子点的半导体纳米线-金属薄膜结构，在外激励下半导体纳米线发出高频激光，经由纳米线表面的量子点吸收，辐射出低频光，从而使激光的波长得到调制，并在金属薄膜表面激发表面等离子体激元模式。通过改变量子点半径，表面形貌和材料组成等，可以获得多个发光峰，成为宽光谱光源。与传统的纳米量级激光器相比，获得良好的纳米尺寸相干光的同时，能够对输出激光波长可调。具有尺寸小、光强密度高、波长可调节和宽光谱增益等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 金属 薄膜 结构 表面 等离子体 激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米线‑金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，其特征在于，该激光器包括半导体纳米线、量子点（2）和金属薄膜（3），所述量子点（2）分布于半导体纳米线表面，所述半导体纳米线与金属薄膜（3）之间：半导体纳米线紧贴在金属薄膜（3）表面上，其间无间隙；或者半导体纳米线与金属薄膜（3）表面之间有间隙，所述间隙中分布有量子点（2）。
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