[发明专利]微电极阵列传感器有效
| 申请号： | 201110430312.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102495121A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 汤戎昱;裴为华;归强;李雷;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/403 | 分类号： | G01N27/403;G01N27/327 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 微电极 阵列 传感器 | ||
【主权项】：
一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。
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