[发明专利]一种低频强磁场屏蔽材料无效
| 申请号： | 201110430786.7 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103171184A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 马书旺;杨剑;毛昌辉;刘坤;梁秋实 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | B32B15/01 | 分类号： | B32B15/01;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低频强磁场屏蔽材料。这种屏蔽材料由单层或多层高电导率材料和铁磁性材料构成。屏蔽材料是高电导率材料和铁磁性材料分别按照不同的次序、层数及厚度等方式进行组合。在屏蔽材料制备过程中需对铁磁性材料进行热处理。考虑到高磁导率铁磁性材料在强磁场环境下易发生磁饱和现象，首先选用高抗磁饱和材料来初步减弱强磁场，然后采用高磁导率材料进一步屏蔽弱化后的磁场，在高抗磁饱和材料层和高磁导率材料层之间使用高电导率材料作为磁阻挡层，同时也具有部分屏蔽交变磁场的作用。本发明的屏蔽材料在厚度为0.2mm左右时，对10kHz～500kHz的低频强磁场的屏蔽效能达到了40dB，解决了在屏蔽材料允许厚度有限的条件下如何提高低频强磁场屏蔽效能是一个技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低频 磁场 屏蔽 材料 | ||
【主权项】：
一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的屏蔽材料是由单层或多层的高电导率材料和单层或多层的铁磁性材料构成；在高电导率材料和铁磁性材料均为单层时，在该屏蔽材料中，从屏蔽前磁场到屏蔽后磁场，依次排列高电导率材料、铁磁性材料；在高电导率材料和铁磁性材料均为多层时，在该屏蔽材料中，从屏蔽前磁场到屏蔽后磁场，依次排列高电导率材料、铁磁性材料，并在每层铁磁性材料之间有一层高电导率材料。
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