[发明专利]高纯钴靶材的制备方法无效
| 申请号： | 201110431047.X | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102424940A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C21D8/00;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高纯钴靶材的制备方法，包括：对高纯钴锭进行多次锻造；把多次锻造后的钴锭进行退火处理；经过退火处理后的钴锭进行多次压延形成钴靶坯；对多次压延形成后的钴靶坯进行最终再结晶退火处理。本发明主要通过控制塑性变形的变形率，热处理的温度、时间，以及多次的特定变形率的塑性变形和特定温度下的热处理相结合的方法来实现制作满足半导体溅射用钴靶材晶粒尺寸要求和晶粒取向要求的钴靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 钴靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，包括：对高纯钴锭进行多次锻造；对多次锻造后的钴锭进行退火处理；对经过退火处理后的钴锭进行多次压延形成钴靶坯；对钴靶坯进行最终再结晶退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料有限公司，未经宁波江丰电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110431047.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超低温容纳容器的连结构造
- 下一篇：一种Mg基储氢合金的合成方法
